介绍： 三星宣布未来十年在韩国本土投资1000万亿韩元约6475亿美元，其中约300万亿韩元将用于建设晶圆厂。此举正值存储芯片超级周期，全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家垄断超九成份额。中国存储芯片自给率已从不足5%提升至约25%，预计2028年突破30%。长江存储270层3D NAND技术达全球领先水平，长鑫存储已量产LPDDR5X，北方华创在28纳米...

介绍： 三星宣布未来十年在韩国本土投资1000万亿韩元约6475亿美元，其中约300万亿韩元将用于建设晶圆厂。此举正值存储芯片超级周期，全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家垄断超九成份额。中国存储芯片自给率已从不足5%提升至约25%，预计2028年突破30%。长江存储270层3D NAND技术达全球领先水平，长鑫存储已量产LPDDR5X，北方华创在28纳米成熟工艺实现九成以上设备国产化。中国凭借AI内需市场、国家资本支持和供应链安全需求三重优势，正与国际巨头展开存储芯片领域的正面竞争。