介绍： 三星电子在AI内存领域取得多项突破。首席技术官Song Jai Hyuk透露，第七代高带宽内存HBM4E可靠性测试良率已超70%，开发进入稳定阶段，样品已送主要客户评估，将搭载于英伟达明年发布的新一代AI加速器。下一代10纳米级DRAM工艺D1d技术竞争力领先对手，目标11月完成生产准备认证，该工艺将从第八代HBM5起全面应用。不过DS部门内部研发人...

介绍： 三星电子在AI内存领域取得多项突破。首席技术官Song Jai Hyuk透露，第七代高带宽内存HBM4E可靠性测试良率已超70%，开发进入稳定阶段，样品已送主要客户评估，将搭载于英伟达明年发布的新一代AI加速器。下一代10纳米级DRAM工艺D1d技术竞争力领先对手，目标11月完成生产准备认证，该工艺将从第八代HBM5起全面应用。不过DS部门内部研发人员对薪酬分配存在不满,要求改善待遇的呼声渐涨。