SK海力士375层闪存年底量产,钼取代钨成存储芯片核心材料

资讯 财经资讯 第9373期 2026-06-15 创建 播放:3383

介绍: SK海力士完成375层3D NAND闪存生产验证,计划年底在韩国清州工厂量产。该产品首次在字线金属栅极中引入钼材料取代传统钨薄膜,三星、美光等存储巨头也相继布局钼材料产品。钼凭借纳米尺度下电阻率稳定、无需额外阻挡层、适配ALD沉积工艺等优势,成为支撑300层以上超高堆叠NAND闪存的核心材料。钼在DRAM、HBM及逻辑芯片领域应用前景广阔...

介绍: SK海力士完成375层3D NAND闪存生产验证,计划年底在韩国清州工厂量产。该产品首次在字线金属栅极中引入钼材料取代传统钨薄膜,三星、美光等存储巨头也相继布局钼材料产品。钼凭借纳米尺度下电阻率稳定、无需额外阻挡层、适配ALD沉积工艺等优势,成为支撑300层以上超高堆叠NAND闪存的核心材料。钼在DRAM、HBM及逻辑芯片领域应用前景广阔,预计2026至2028年全球半导体级钼材料市场规模将扩容4倍以上,为国内半导体产业带来国产化黄金窗口期。

  • 云村交易所
  • X StudioAI歌手
  • 用户认证
  • AI 免费写歌
  • 云推歌
  • 赞赏

廉正举报 不良信息举报邮箱: 51jubao@service.netease.com

互联网宗教信息服务许可证:浙(2022)0000120 增值电信业务经营许可证:浙B2-20150198 粤B2-20090191-18  浙ICP备15006616号-4  工业和信息化部备案管理系统网站

网易公司版权所有©1997-2026杭州乐读科技有限公司运营:浙网文[2024] 0900-042号 浙公网安备 33010802013307号 算法服务公示信息