SK海力士375层NAND闪存采用钼替代钨,今年底量产提升读写速度

资讯 财经资讯 第9417期 2026-06-11 创建 播放:620

介绍: 韩国SK海力士已完成375层3D NAND闪存生产验证,计划今年底在清州M15工厂量产。该产品采用钼材料替代传统钨材料制作字线,钼电阻更低可加快数据读写速度,无需额外阻挡层提升存储密度。公司选择东京电子炉式设备批量处理晶圆以降低成本。三星电子已率先量产286层钼工艺产品,预计2030年钼材料需求将达80吨。

介绍: 韩国SK海力士已完成375层3D NAND闪存生产验证,计划今年底在清州M15工厂量产。该产品采用钼材料替代传统钨材料制作字线,钼电阻更低可加快数据读写速度,无需额外阻挡层提升存储密度。公司选择东京电子炉式设备批量处理晶圆以降低成本。三星电子已率先量产286层钼工艺产品,预计2030年钼材料需求将达80吨。

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