介绍： 三星电子正主导新一轮内存涨价攻势，第三季度通用DRAM均价目标涨幅最高达20%，低功耗DRAM涨幅超20%。今年以来三星DRAM涨价幅度远超同业，第一季度涨约90%，第二季度涨50%至60%。AI基础设施投资持续升温推高服务器DRAM和高带宽内存需求，供给短缺持续。内存厂商与客户签订的长期供应协议不断扩大，协议设定价格下限，有望将高盈利水平延...

介绍： 三星电子正主导新一轮内存涨价攻势，第三季度通用DRAM均价目标涨幅最高达20%，低功耗DRAM涨幅超20%。今年以来三星DRAM涨价幅度远超同业，第一季度涨约90%，第二季度涨50%至60%。AI基础设施投资持续升温推高服务器DRAM和高带宽内存需求，供给短缺持续。内存厂商与客户签订的长期供应协议不断扩大，协议设定价格下限，有望将高盈利水平延续至明年，市场大幅下行可能性低。