韩国投3.52万亿建四座芯片厂,长鑫存储中长期承压

资讯 财经资讯 第9544期 2026-06-29 创建 播放:4227

介绍: 韩国政府宣布将在西南部建设四座芯片厂,投资约3.52万亿元人民币,未来十五年在新一代存储等领域至少投入1330亿元。同日三星宣布投资约11.68万亿元。韩国主攻DRAM晶圆厂和HBM先进封装两条线,在DRAM和HBM市场已分别占据全球约68%和79%份额。短期看,全球DRAM仍处紧缺状态,长鑫存储凭借国产替代需求保持高光表现,但中长期面临韩国新增...

介绍: 韩国政府宣布将在西南部建设四座芯片厂,投资约3.52万亿元人民币,未来十五年在新一代存储等领域至少投入1330亿元。同日三星宣布投资约11.68万亿元。韩国主攻DRAM晶圆厂和HBM先进封装两条线,在DRAM和HBM市场已分别占据全球约68%和79%份额。短期看,全球DRAM仍处紧缺状态,长鑫存储凭借国产替代需求保持高光表现,但中长期面临韩国新增产能释放带来的价格压力、高端技术差距拉大以及上市后市场考核等三大挑战。

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